臺(tái)積電漲價(jià)消息傳出后， 摩根士丹利認(rèn)為，臺(tái)積電明年整體制程的合理漲幅會(huì)落在5%-10%，對(duì)客戶而言，未來兩年只能接受，但不排除長(zhǎng)線英特爾和三星制程完備下，陸續(xù)有訂單轉(zhuǎn)到其他代工廠。
臺(tái)積電在7納米、5納米等芯片工藝和產(chǎn)能上均全球領(lǐng)先，臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》稱，臺(tái)積電明年下半年3納米制程將進(jìn)入量產(chǎn)，2納米制程會(huì)在2024年后量產(chǎn)。三星也預(yù)計(jì)在2022年量產(chǎn)3納米制程的芯片。
目前，英特爾、三星電子等多個(gè)半導(dǎo)體制造商都在加快高端芯片研發(fā)和生產(chǎn)，完備自身產(chǎn)業(yè)鏈，以求趕超巨頭臺(tái)積電。三星是全球第二家可以量產(chǎn)5納米芯片的廠商，而英特爾在10納米等芯片的工藝上也不遜色。
8月24日，三星電子表示，未來三年將投資超過2000億美元，到2023年幫助三星加強(qiáng)芯片領(lǐng)域等關(guān)鍵行業(yè)的全球地位。該公司已計(jì)劃要趕在臺(tái)積電前，將新一代3納米GAA制程技術(shù)商業(yè)化。
英特爾則計(jì)劃在2025年重新奪回芯片制造領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并計(jì)劃在未來四年的時(shí)間里，推出5個(gè)制成工藝發(fā)展階段，其中包括10納米、7納米、4納米、3納米以及20A。此外，《華爾街日?qǐng)?bào)》曾報(bào)道，英特爾計(jì)劃投資200億美元在歐洲多地建設(shè)芯片廠，并希望可以打造芯片生態(tài)系統(tǒng)。